1. Електронний репозит
  2. Наукові видання
  3. Наукові праці професорсько-викладацького складу ЛДУФК в базах даних Scopus, WoS, Tomson Reuters
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://repository.ldufk.edu.ua/handle/34606048/10451
Назва: The controlled doping and structural homogeneity of CdHgTe epitaxial layers=Kontrolowane domieszkowanie i jednorodność strukturalne warstw epitoksjalnych CdHgTe
Автори: Vlasov, Andriy
Bonchyk, O.
Fodchuk, I.
Zaplitnyy, R.
Barcz, A.
Swiatek, Z.
Litynska-Dobrzynska, L.
Zieba, P.
Bielanska, E.
Guspiel, J.
Власов, Андрій
Ключові слова: doping
ion implantation
epitaxial layers
CdHgTe
Дата публікації: 2007
Бібліографічний опис: The controlled doping and structural homogeneity of CdHgTe epitaxial layers=Kontrolowane domieszkowanie i jednorodność strukturalne warstw epitoksjalnych CdHgTe / A. Vlasov, O. Bonchyk, I. Fodchuk, R. Zaplitnyy, A. Barcz, Z. Swiatek, l. Litynska-Dobrzynska, P. Zieba, E. Bielanska, J. Guspiel // Archives of metallurgy and materials. – 2007. – Vol. 52, is. 4. – P. 563–568. (Scopus)
Короткий огляд (реферат): X-ray diffraction methods as well as atomic force microscopy (AFM) and secondary ion mass spectroscopy (SIMS) were used to study the controlled doping and structural homogeneity of HgCdTe epitaxial layers. The investigated layers were obtained by the evaporation-condensation-diffusion (ECD) method in the process of isothermal growth. Two types of substrates for CdHgTe ECD growth were used: (110) and (111) CdTe monocrystals with As ion implanted surface layer at a dose of 1×1015cm−2 and an energy of 100 keV. Structural changes in damaged areas of CdTe crystals that arise at the ion beam implantation and the influence of radiation defects on the quality of obtained layers are analyzed
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://repository.ldufk.edu.ua/handle/34606048/10451
Розташовується у зібраннях:Наукові праці професорсько-викладацького складу ЛДУФК в базах даних Scopus, WoS, Tomson Reuters

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
THE CONTROLLED DOPING AND STRUCTURAL HOMOGENEITY OF CdHgTe EPITAXIAL LAYERS.pdf1.27 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.