Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://repository.ldufk.edu.ua/handle/34606048/10405
Назва: | High temperature arsenic doping of CdHgTe epitaxial layers |
Автори: | Vlasov, Andriy Bogoboyashchiy, V. Bonchyk, O. Barcz, A. Власов, Андрій Богобоящий, В. Бончик, О. |
Ключові слова: | doping diffusion graded-band-gap structures CdHgTe |
Дата публікації: | 2004 |
Бібліографічний опис: | High temperature arsenic doping of CdHgTe epitaxial layers / A. Vlasov, V. Bogoboyashchyy, O. Bonchyk, A. Barcz // Cryst. Res. Technol. – 2004. – Vol. 39, N 1. – P. 11–22. (Scopus) |
Короткий огляд (реферат): | Experimental results on solid-state arsenic doping of the n-type bulk and ISOVPE epitaxial CdXHg1-XTe (X = 0.19÷0.3) alloys are presented. The arsenic doped thin epitaxial CdxHg1-xTe films (nAs ≈ 5⋅1016÷1⋅1020 cm-3; d =2÷5 μm) obtained by RF sputtering in a mercury glow discharge were used as As diffusion sources. The arsenic diffusion and activation were carried out at temperatures Т = 500÷600°С under Hg vapour pressure. Immediately after the high temperature treatment all samples were annealed to annihilate point defects. The SIMS analysis was used for determination of the quantitative admixture distribution of As in the diffusion area. The arsenic electrical activity has been evaluated by means of differential Hall, resistivity and thermoemf measurements. The analysis of experimental data obtained as well as their comparison with previously obtained results has been performed. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://repository.ldufk.edu.ua/handle/34606048/10405 |
Розташовується у зібраннях: | Наукові праці професорсько-викладацького складу ЛДУФК в базах даних Scopus, WoS, Tomson Reuters |
Файли цього матеріалу:
Файл | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|
High temperature arsenic dopingVlasov3.pdf | 251.42 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.