Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://repository.ldufk.edu.ua/handle/34606048/10404
Назва: | Conductivity type conversion in p- CdXHg1-XTe |
Автори: | Berchenko, N. Bogoboyashchiy, V. Izhnin, I. Vlasov, Andriy Kurbanov, K. Yudenkov, V. Берченко, Н. Богобоящий, В. Іжнін, І. Власов, Андрій Курбанов, К. Юденков, В. |
Ключові слова: | CdxHg1–xTe p-n structure mercury diffusion ion beam milling anodic oxide thermal annealing |
Дата публікації: | 2003 |
Бібліографічний опис: | Conductivity type conversion in p- CdXHg1-XTe / N. N. Berchenko, V. V. Bogoboyashchiy, I. I. Izhnin, K. R. Kurbanov, A. P. Vlasov, V. A. Yudenkov // Opto- Electronics Review. – 2003. – Vol. 11, N 2. – P. 93–98. (Scopus) |
Короткий огляд (реферат): | Investigations and comparative analysis of p-to-n type conductivity conversion processes on the identical samples of vacancy doped p-CdxHg–xTe (x 0.2) under ion-beam milling (IBM) and anodic oxide annealing and on the identical samples of As-doped p-CdxHg1–xTe (x 0.22) under IBM and anodic oxide annealing have been carried out. The conductivity type conversion has been observed at the considerable depth of the vacancy doped material both under IBM or under anodic oxide annealing while in the case with As-doped material only under IBM. It was considered that conversion in all these processes was determined by the mercury interstitial diffusion from corresponding mercury diffusion source and recombination with its native acceptors – cationic vacancies (in the first case) or with donor complex formations (in the second one). It has been shown that in the vacancy-doped p-CdxHg1–xTe the effective diffusion coefficients for the mercury interstitials that determines the depth of the converted layer are equal each other at equal temperatures either under thermal annealing in the saturated mercury vapour or anodic oxide annealing. It proves the identity of the mercury concentration in the diffusion source. Absence of the conversion under anodic oxide annealing in the As-doped p-CdxHg1–xTe is explained by insufficient Hg concentration in the source and it matches well with necessary condition for donor complex formation as it takes place under IBM. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://repository.ldufk.edu.ua/handle/34606048/10404 |
Розташовується у зібраннях: | Наукові праці професорсько-викладацького складу ЛДУФК в базах даних Scopus, WoS, Tomson Reuters |
Файли цього матеріалу:
Файл | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|
Conductivity_Type_conVlasov2.pdf | 446.83 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.