Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://repository.ldufk.edu.ua/handle/34606048/10403
Назва: | Time Relaxation of Point Defects in p- and n-(HgCd)Te after Ion Milling |
Автори: | Belas, E. Bogoboyashchyy, V. Grill, R. Izhnin, I. Vlasov, Andriy Yudenkov, V. Белас, Е. Богобоящий, В. Гріл, Р. Іжнін, І. Власов, Андрій Юденков, В. |
Ключові слова: | (HgCd)Te type conversion ion milling |
Дата публікації: | 2003 |
Бібліографічний опис: | Time relaxation of point defects in p- and n-(HgCd)Te after ion milling / Belas E., Bogoboyashchyy V. V, Grill R., Iznin I. I., Vlasov A. P., Yudenkov V. A. // Journal of electron. mater. – 2003. – Vol. 32, N 7. – P. 698–702. (Scopus) |
Короткий огляд (реферат): | RH(77 K) of the n-type layer created by ion milling is investigated in Hg vacancy-doped, As-doped, and In-predoped p-type, and In-doped n-type Hg1−xCdxTe (0.2 < x < 0.22) samples. We show that the n-type layer is formed, and the temperature-activated relaxation occurs in all cases. The annealing at 75°C results in a gradual degradation of the converted n-type layer and a back n-to-p conversion within 8 days. The existence of a high-conducting, surfacedamaged region with a high-electron density (∼1018 cm−3) and a low mobility (∼103 cm2/Vs) is confirmed, and its influence on the relaxation is studied. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://repository.ldufk.edu.ua/handle/34606048/10403 |
Розташовується у зібраннях: | Наукові праці професорсько-викладацького складу ЛДУФК в базах даних Scopus, WoS, Tomson Reuters |
Файли цього матеріалу:
Файл | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|
Time Relaxation of PointVlasov1.pdf | 111.03 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.