Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://repository.ldufk.edu.ua/handle/34606048/10400
Назва: | Mechanism for conversion of the conductivity type in arsenic doped p-CdxHg1–xTe subject to ionic etching |
Автори: | Bogoboyashchiy, V. Vlasov, Andrii Izhnin, I. |
Ключові слова: | conversion ionic etching arsenic doped |
Дата публікації: | 2001 |
Бібліографічний опис: | Bogoboyashchyy V. V. Mechanism for conversion of the conductivity type in arsenic doped p-CdxHg1–xTe subject to ionic etching / V. V. Bogoboyashchii, A. P. Vlasov, I. I. Izhnin // Russian Physics Journal. - 2001. - Vol. 44, no. 1. - P. 61-70. |
Короткий огляд (реферат): | Based on an analysis of chemical diffusion of mercury in p-CdxHg1–xTe:As narrow-band solid solutions, a mechanism for conversion of the conductivity type upon ionic etching is suggested. It is shown that the n–p conversion of the conductivity in this case is due to the formation of a donor complex between arsenic in the Te sublattice and an interstitial Hg atom. Moreover, the electron concentration in the converted layer corresponds to the concentration of the implanted arsenic impurity. The theoretical results are confirmed by the experimental investigation of the electron concentration distribution over the n-layer of a p-CdxHg1–xTe:As epistructure converted upon ionic etching. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://repository.ldufk.edu.ua/handle/34606048/10400 |
Розташовується у зібраннях: | Наукові праці професорсько-викладацького складу ЛДУФК в базах даних Scopus, WoS, Tomson Reuters |
Файли цього матеріалу:
Файл | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|
Russian Phys JourVlas.pdf | 86.93 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.