1. Електронний репозит

Search


Current filters:
Start a new search
Add filters:

Use filters to refine the search results.

 | 
Results 1-10 of 11 (Search time: 0.006 seconds).
Item hits:
Issue DateTitleAuthor(s)
2016Barrier structures on the basis of graded-band-gap CdHgTe obtained by evaporation-condensation-diffusion methodŚwiątek, Z.; Vlasov, Andriy; Ivashko, M.; Petryna, R.; Bonchyk, A.; Sokolovskii, B.; Власов, Андрій; Петрина, Роман
2006Relaxation of electrical properties of n-type layers formed by ion milling in epitaxial HgCdTe doped with V-group acceptorsBogoboyashchyy, V.; Izhnin, I.; Mynbaev, K.; Pociask, M.; Vlasov, Andriy
2003Conductivity type conversion in p- CdXHg1-XTeBerchenko, N.; Bogoboyashchiy, V.; Izhnin, I.; Vlasov, Andriy; Kurbanov, K.; Yudenkov, V.; Берченко, Н.; Богобоящий, В.; Іжнін, І.; Власов, Андрій; Курбанов, К.; Юденков, В.
2002Controlled arsenic diffusion in epitaxial CdXHg1-XTe layers in the evaporation-condensation-diffusion processVlasov, Andriy; Pysarevsky, V.; Storchun, O.; Shorchenko, A.; Bonchyk, A.; Pokhmurska, H.; Barcz, A.; Swiatek, Z.; Власов, Андрій; Писаревський, В.; Сторчун, О.; Шорченко, А.; Бончик, А.; Похмурська, Г.; Святек, З.
2002Defect Structure Rebuilding by Ion Beam Milling of As and Sb Doped p-Hg1–xCdxTeBerchenko, N.; Bogoboyashchiy, V.; Izhnin, I.; Vlasov, Andriy; Берченко, Н.; Богобоящий, В.; Іжнін, І.; Власов, Андрій
2003Time Relaxation of Point Defects in p- and n-(HgCd)Te after Ion MillingBelas, E.; Bogoboyashchyy, V.; Grill, R.; Izhnin, I.; Vlasov, Andriy; Yudenkov, V.; Белас, Е.; Богобоящий, В.; Гріл, Р.; Іжнін, І.; Власов, Андрій; Юденков, В.
2004High temperature arsenic doping of CdHgTe epitaxial layersVlasov, Andriy; Bogoboyashchiy, V.; Bonchyk, O.; Barcz, A.; Власов, Андрій; Богобоящий, В.; Бончик, О.
2008Reconstruction of lattice structure of ion-implanted near-surface regions of Hg1 − XCdXTe epitaxial layersVlasov, Andriy; Bonchyk, O.; Kiyak, S.; Fodchuk, I.; Kazemirskiy, T.; Barcz, A.; Zieba, P.; Swiatek, Z.; Maziarz, W.; Власов, Андрій
2007The controlled doping and structural homogeneity of CdHgTe epitaxial layers=Kontrolowane domieszkowanie i jednorodność strukturalne warstw epitoksjalnych CdHgTeVlasov, Andriy; Bonchyk, O.; Fodchuk, I.; Zaplitnyy, R.; Barcz, A.; Swiatek, Z.; Litynska-Dobrzynska, L.; Zieba, P.; Bielanska, E.; Guspiel, J.; Власов, Андрій
2007Influence of laser shock waves on As implanted HgCdTeYakovyna, V.; Berchenko, N.; Kuzma, M.; Vlasov, Andriy; Яковина, В.; Берченко, Н.; Кузма, М.; Власов, Андрій

Discover