Browsing by Author Vlasov, Andriy

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Ґ Д Е Є Ё Ж З И І Ї Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
or enter first few letters:  
Showing results 1 to 15 of 15
Issue DateTitleAuthor(s)
2016Barrier structures on the basis of graded-band-gap CdHgTe obtained by evaporation-condensation-diffusion methodŚwiątek, Z.; Vlasov, Andriy; Ivashko, M.; Petryna, R.; Bonchyk, A.; Sokolovskii, B.; Власов, Андрій; Петрина, Роман
2016Barrier structures on the basis of graded-band-gap CdHgTe obtained by evaporation-condensation-diffusion methodŚwiątek, Z.; Vlasov, Andriy; Ivashko, M. V.; Petryna, R. L.; Bonchyk, A. Yu.; Sokolovskii, B. S.
2003Conductivity type conversion in p- CdXHg1-XTeBerchenko, N.; Bogoboyashchiy, V.; Izhnin, I.; Vlasov, Andriy; Kurbanov, K.; Yudenkov, V.; Берченко, Н.; Богобоящий, В.; Іжнін, І.; Власов, Андрій; Курбанов, К.; Юденков, В.
2002Controlled arsenic diffusion in epitaxial CdXHg1-XTe layers in the evaporation-condensation-diffusion processVlasov, Andriy; Pysarevsky, V.; Storchun, O.; Shorchenko, A.; Bonchyk, A.; Pokhmurska, H.; Barcz, A.; Swiatek, Z.; Власов, Андрій; Писаревський, В.; Сторчун, О.; Шорченко, А.; Бончик, А.; Похмурська, Г.; Святек, З.
2002Defect Structure Rebuilding by Ion Beam Milling of As and Sb Doped p-Hg1–xCdxTeBerchenko, N.; Bogoboyashchiy, V.; Izhnin, I.; Vlasov, Andriy; Берченко, Н.; Богобоящий, В.; Іжнін, І.; Власов, Андрій
2004High temperature arsenic doping of CdHgTe epitaxial layersVlasov, Andriy; Bogoboyashchiy, V.; Bonchyk, O.; Barcz, A.; Власов, Андрій; Богобоящий, В.; Бончик, О.
2007Influence of laser shock waves on As implanted HgCdTeYakovyna, V.; Berchenko, N.; Kuzma, M.; Vlasov, Andriy; Яковина, В.; Берченко, Н.; Кузма, М.; Власов, Андрій
2008Reconstruction of lattice structure of ion-implanted near-surface regions of Hg1 − XCdXTe epitaxial layersVlasov, Andriy; Bonchyk, O.; Kiyak, S.; Fodchuk, I.; Kazemirskiy, T.; Barcz, A.; Zieba, P.; Swiatek, Z.; Maziarz, W.; Власов, Андрій
2006Relaxation of electrical properties of n-type layers formed by ion milling in epitaxial HgCdTe doped with V-group acceptorsBogoboyashchyy, V.; Izhnin, I.; Mynbaev, K.; Pociask, M.; Vlasov, Andriy
2007The controlled doping and structural homogeneity of CdHgTe epitaxial layers=Kontrolowane domieszkowanie i jednorodność strukturalne warstw epitoksjalnych CdHgTeVlasov, Andriy; Bonchyk, O.; Fodchuk, I.; Zaplitnyy, R.; Barcz, A.; Swiatek, Z.; Litynska-Dobrzynska, L.; Zieba, P.; Bielanska, E.; Guspiel, J.; Власов, Андрій
2003Time Relaxation of Point Defects in p- and n-(HgCd)Te after Ion MillingBelas, E.; Bogoboyashchyy, V.; Grill, R.; Izhnin, I.; Vlasov, Andriy; Yudenkov, V.; Белас, Е.; Богобоящий, В.; Гріл, Р.; Іжнін, І.; Власов, Андрій; Юденков, В.
2017Робоча програма навчальної дисципліни "Спортивна метрологія" галузі знань 01 "Освіта" напряму підготовки 014.11 “Середня освіта (фізична культура)”Власов, Андрій; Vlasov, Andriy
2017Робоча програма навчальної дисципліни "Спортивна метрологія" галузі знань 01 "Освіта" напряму підготовки 017 "Фізична культура і спорт"Власов, Андрій; Vlasov, Andriy
2017Спортивна метрологія : програма навчальної дисципліни підготовки бакалаврів напряму підготовки 017 “Фізична культура і спорт”Власов, Андрій; Vlasov, Andriy
2017Спортивна метрологія : програма нормативної навчальної дисципліни підготовки бакалаврів напряму підготовки 014.11 “Середня освіта (фізична культура)”Власов, Андрій; Vlasov, Andriy